Как сообщает DigiTimes со ссылкой на источники внутри индустрии, компании Toshiba и SanDisk планируют изготовить 20-нанометровую NAND флеш-память на своем совместном заводе в Японии во второй половине 2010 года.

Результатом этого станет производство примерно 200 000 подложек в месяц. Toshiba использовала данную фабрику для производства 32 нм памяти с 3 битами на ячейку (3bpc) и ожидалось, что к концу 2009 года этим производством будет занято 50 процентов мощностей, но данные задачи задерживаются.

Их конкурент, совместное предприятиел Intel и Micron Technology собираются представить технологию 20 нм памяти к концу 2009 года. В настоящее время предприятие собирается запустить массовое производство 32-Гб NAND-памяти с использованием 3bpc по 34 нм технологии на своем заводе IM Flash Technologies.

Ожидается, что массовое производство новой NAND-памяти позволит снизить цены на нынешние продукты, использующие флеш-память и ускорить постепенную замену обыкновенных жестких дисков на твердотельные.