Hynix готовит быструю 1-Гбитную память для смартфонов

Рубрика: Компьютеры

Hynix готовит быструю 1-Гбитную память для смартфонов

Компания Hynix объявила о том, что она выпустила первый 1-гигабитный (128 Мб) модуль памяти DDR2 по 54 нм техпроцессу. Уменьшение дизайна позволило компании одновременно с этим повысить частоту работы памяти до 1066 МГц.

На такой же частоте работает память в настольных компьютерах. Кроме этого, такие усовершенствования позволили значительно сократить потребление энергии по сравнению с прежней памятью. Новый чип потребляет в два раза меньше энергии, чем прошлое поколение мобильной памяти и всего лишь 30 процентов от того, что потребляет память в настольных компьютерах.

Hynix готовит быструю 1-Гбитную память для смартфонов

 

 

Компания считает, что новая технология найдет применение в смартфонах из хай-энд сегмента, а также в мобильных интернет-устройствах и нетбуках, которым необходима широкая полоса пропускания (в двухканальном режиме скорость достигает 8.5 Гб в секунду) и малое потребление энергии.

Hynix не называет клиентов, которые будут использовать новую память. Компания ожидает начать поставки во второй половине этого года.